အတွင်းသွေးကြော အလံတုန်ခါမှု စက်ပစ္စည်း (IVUS) နည်းပညာသည် နှလုံးသွေးကြောများနှင့် အခြားသွေးကြောများတွင် ဖြစ်ပေါ်သော ပုံပိုင်းဆိုင်ရာ ပုံရိပ်များကို အချိန်နှင့်တစ်ပါတ်တွင် ရယူနိုင်စေပါသည်။ သွေးကြောအတွင်းသို့ အလွန်သေးငယ်သော အလံတုန်ခါမှု ကိုယ်ထည်ကို ထည့်သွင်းခြင်းဖြင့် ဆရာဝန်များသည် သွေးကြောအတွင်း အကွက်ပုံသဏ္ဍာန်၊ သွေးကြောအတွင်း ပုံပိုင်းဆိုင်ရာ ပုံစံများနှင့် သွေးကြောအတွင်း အထောက်အကူပုံစံများကို တိကျစွာ အကဲဖေးနိုင်ပါသည်။ ပုံမှန် သွေးကြောပုံရိပ်ဖေးနိုင်မှုနှင့် နှိုင်းယှဉ်လျှင် IVUS သည် အလွန်မြင့်မားသော ရှုပ်ထွေးမှုဖေးနိုင်မှုကို ပေးစေပြီး သွေးကြောများ၏ ဖွဲ့စည်းပုံများကို ပိုမိုအသေးစိတ် အကဲဖေးနိုင်စေပါသည်။
အမြင့်ကြိမ်နှုန်း အသံလွှင့်မှု ပုံရေးခြင်း၏ အရည်အသွေးသည် အဆုံးတွင် တပ်ဆင်ထားသော အသံလွှင့်စက်နှင့် အစိတ်အပိုင်းအနေဖြင့် အနီးကပ်ရှိသော အသံလွှင့်မှု အချက်အလက် စနစ်ကြား လျှပ်စစ်အချက်အလက် လွှင့်ပေးမှု၏ အပြည့်အဝ အာမခံခြင်းအပေါ် အများကြီး မှီခိုနေပါသည်။ IVUS အသံလွှင့်စက်များသည် အမြင့်ကြိမ်နှုန်း အသုံးပြုမှု အကွာအဝေးကို ဆက်လက် တိုးမှုန်းနေပါသည်။ ယင်းအကွာအဝေးသည် အများအားဖြင့် ၄၀ MHz မှ ၆၀ MHz အထိ ရောက်ရှိပါသည်။ ထိုသို့ဖြင့် ၁၀၀ မိုက်ခရွန် အောက်ရှိသော အလျားလိုက် အရှင်းလင်းမှုကို ရယူနိုင်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် ကက်သီတာအတွင်းရှိ လျှပ်စစ် အဆက်အသွင်းမှုသည် စနစ်တစ်ခုလုံး၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ကန့်သတ်နေသည့် အရေးကြီးသော အချက်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်လာပါသည်။
အလွန်ပေါ့ပါးသော micro Coaxial Cable အစိတ်အပိုင်းများကို IVUS ကိုယ်ထည်များ၏ အဆင့်မြင့် ဒီဇိုင်းများတွင် ပိုမိုအသုံးပြုလာကြပါသည်။ အကြောင်းမှာ အလွန်သေးငယ်သော အရွယ်အစား၊ ထိန်းချုပ်နိုင်သော အခုခံအား၊ အချက်အလက် ဆုံးရှုံးမှုနည်းခြင်း၊ EMI ကာကွယ်မှုနှင့် အသွေးကြောအတွင်း အမြင့်မားသော ပုံရိပ်ဖေးနိုင်မှုအတွက် လိုအပ်သော စက်မှုအားသာချက်များကို ပေးစေပါသည်။
IVUS ကက်သီတာ ဒီဇိုင်းများသည် ပေါင်းစပ်လိုအပ်ချက်များကို ဖြစ်ပေါ်စေသည် အလွန်ပြင်းထန်သော နေရာကန့်သတ်မှုများ၊ မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်း အချက်ပြ လွှဲပြောင်းလိုအပ်ချက်များ၊ ထိန်းချုပ်ထားသော အခုခံမှု၊ EMI ကာကွယ်မှု နှင့် ထပ်ခါထပ်ခါ ဖြစ်ပွားသော ယန္တရား လှုပ်ရှားမှု .
အလွန်သေးငယ်သော အလယ်ဗဟိုတစ်ခုတည်းရှိသော ကြိုး စုစည်းမှုသည် ထိန်းချုပ်ထားသော လွှဲပြောင်းလမ်းကြောင်းကို အလွန်သေးငယ်သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဖွဲ့စည်းပုံတွင် ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် ဤလိုအပ်ချက်များကို ဖြေရှင်းပေးသည်
အဓိက အင်ဂျင်နီယာ ဆက်နွယ်မှုမှာ -
ကက်သီတာ နေရာ → ကြိုး အချင်း → ချန်နယ် သိပ်သည်းမှု → အခုခံမှု / ကပ်ပါစီတန့် → အချက်ပြ ဆုံးရှုံးမှု → ကာကွယ်မှု → ယန္တရား ယုံကြည်စိတ်ချမှု
အကယ်၍ → ကက်သီတာတွင် အတွင်းပိုင်း လမ်းကြောင်း နေရာ အလွန်နည်းပါးသည်
ထိုအခါ → လိုအပ်သော လျှပ်စစ်နှင့် ယန္တရား စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားရင်းသာ ကြိုး အရွယ်အစားများကို လျှော့ချရမည်
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ကြိုး အရွယ်အစားကို တစ်မျိုးတည်း လျှော့ချခြင်းသည် ရလဒ်အနေဖြင့် ဖွဲ့စည်းပုံသည် ပုံရိပ်ဖော်စနစ် လိုအပ်ချက်များကို ပြည့်မီမည်ဟု အာမခံချက်မပေးပါ
အကယ်၍ → ပုံရိပ်ဖော် အချက်ပြသည် မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းတွင် လုပ်ကိုင်သည်
ထိုအခါ → ကြေးနီ ပိုမိုသေးငယ်မှု၊ ဒိုင်အီလက်ထရစ် ပိုမိုသေးငယ်မှု၊ အချိန်နှင့်တစ်ပါတည်း အချိန်အတိုင်းအတာ နှင့် အဆုံးသတ်ကြေးနီ အားနည်းမှုကို စိစိမ့်စမ်းပါ။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → အမြင့်မှုန်း လွှဲပေးရေး စွမ်းဆောင်ရည်သည် လွှဲပေးရေး ဖွဲ့စည်းပုံ အားလုံးပေါ်တွင် မှီခိုပါသည်။
အကယ်၍ → ခန္တာမှုန်းများကို ကက်သီတာအတွင်းဖြင့် အများအပြား လွှဲပေးရမည်။
ထိုအခါ → ခန္တာမှုန်း သိပ်သည်းမှု၊ ကြေးနီ အပြင်ဘက်အရွယ်အစား၊ တစ်ခုချင်းစီ အကာအကွယ်နှင့် လျှပ်စစ် တည်ငြိမ်မှုတို့ကို တစ်ပါတည်း စိစိမ့်စမ်းပါ။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ခန္တာမှုန်း အရေအတွက် တိုးလာခြင်းသည် ယန္တရားဆိုင်ရာ နှင့် စိတ်ကူးယဉ်ဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များကို ဖန်တီးနိုင်ပါသည်။
အကယ်၍ → ကြေးနီသည် ကွေးခြင်း၊ လှည့်ခြင်း သို့မဟုတ် ဖိခြင်းနှင့် ဆွဲခြင်း လှုပ်ရှားမှုများကို ခံစားရပါသည်။
ထိုအခါ → ကြေးနီ စုစည်းမှုကို ယန္တရားဆိုင်ရာ အခြေအနေများနှင့် ကိုက်ညီသည့် အတိုင်းအတာဖြင့် အတည်ပြုပါ။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ကြေးနီ ပိုမိုသေးငယ်မှု၊ အကာအကွယ် ပုံပေါ်မှု နှင့် ဒိုင်အီလက်ထရစ် ရွေ့လျားမှုတို့သည် အချိန်ကြာမှု စုစည်းမှု စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိခိုက်စေနိုင်ပါသည်။
လက်ရှိ HOTTEN ဆောင article တွင် IVUS ကက်သီတာ စိန်ခေါ်မှုများဖြစ်သည့် အတွင်းပိုင်း နေရာ အကောင်းများ အကောင်းများ၊ အမြင့်မှုန်း လွှဲပေးရေး၊ အချိန်နှင့်တစ်ပါတည်း အချိန်အတိုင်းအတာ ကိုက်ညီမှု၊ EMI အကာအကွယ်နှင့် ယန္တရားဆိုင်ရာ ပိုမိုသေးငယ်မှုတို့ကို ဖော်ပြထားပြီး ဤစုစည်းမှုများကို ဖြေရှင်းရန် အလွန်သေးငယ်သည့် မိုက်ခရိုကော့စ် စုစည်းမှုများကို အက်စ်အော်ဂ်မ် အဖြစ် ဖော်ပြထားပါသည်။
အမှတ်တမ်းအတိုင်း IVUS ကာဘယ် ၊ HOTTEN သည် လက်ရှိတွင် IVUS ကြိုး ပုံစံများကို အထူးပြု ပေးဆောင်နေပါသည်။ အထူးသဖြင့် အမြင်အာရုံမြင့် ဓာတ်မှန်ကြိုးနှင့် တစ်ကြိမ်သုံး IVUS ကြိုး ဖြေရှင်းချက်များ ပါဝင်ပါသည်။

၁။ ကက်သီတာအတွင်း နေရာအလွန်နည်းပါသည်
IVUS ကက်သီတာများတွင် အပြင်ဘက်အချင်းသည် များသောအားဖေး ၂.၅ Fr မှ ၃.၅ Fr (၀.၈၃–၁.၁၇ mm) သာရှိပါသည်။ ဤကျဉ်းမောင်းသောနေရာအတွင်းတွင် အင်ဂျင်နီယာများသည် လမ်းညွှန်ကြိုးအတွက် အခေါင်းများ၊ စက်မှုအုပ်မှုဝိုင်ယာများ သို့မဟုတ် ASIC ဆက်သွယ်မှုများ၊ ရေစီးကြောင်းများနှင့် လျှပ်စစ်ဝိုင်ယာများကို ထည့်သွင်းစဥ်းစားရပါမည်။ ကြိုးများကို စီစဥ်ရန်အတွက် ကျန်ရှိသောနေရာသည် များသောအားဖေး မီလီမီတာတစ်ခု၏ အပိုင်းသေးငယ်သောအပိုင်းသာ ဖြစ်ပါသည်။
၂။ အမြင့်မြန်နှုန်း အချက်ပေးမှုနှင့် ဆုံးရှုံးမှုထိန်းချုပ်ခြင်း
၂၀ MHz မှ ၆၀ MHz အကြား လုပ်ဆောင်မှုမှုန်းနှုန်းများသည် ပုံမှန် လျှပ်စစ်ကြိုးများကို အရေပြားအကျော်အထိရောက်မှု (skin effect)၊ ဒိုင်အီလက်ထရစ်ဆုံးရှုံးမှု (dielectric loss) နှင့် EMI တို့အောက်တွင် ထားရှိသည်။ အလွန်အမင်း အားနည်းမှုသည် အသံနှင့် အသံမဟုတ်သော အချက်ပေးမှုအချိုး (SNR) ကို ပိုမိုဆိုးရွားစေပြီး ပုံရေးထုတ်လုပ်မှုတွင် အသံညစ်နေမှုများ၊ နက်ရှိုင်းမှု လျော့နည်းမှုများနှင့် သွေးကြောများ၏ နယ်နိမိတ်များ မှုန်ဝါးမှုများကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။
၃။ တိကျသော အချိန်နှင့်ကိုက်ညီသော အချက်ပေးမှု
ပိုက်ဇိုအီလက်ထရစ် အလွှာများနှင့် အုပ်စုအားဖြင့် IC များသည် ၅၀Ω သို့မဟုတ် ၇၅Ω အထိ တည်ငြိမ်သော အထူးသော အချက်ပေးမှုကို လိုအပ်သည်။ အချက်ပေးမှု မှုန်းနှုန်းများ မတူညီမှုများသည် ရပ်နေသော လှိုင်းများ၊ ခေါင်းလောင်းသော အသံများနှင့် ပုံရေးထုတ်လုပ်မှုတွင် အကျော်အထိရောက်မှုများကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ အလွန်ပေါ့ပါးသော နှင့် အမြဲတမ်း ကွေးနေသော ကြိုးများအတွင်းတွင် အချက်ပေးမှုကို တည်ငြိမ်စေရန်မှုသည် အင်ဂျင်နီယာများအတွက် အလွန်ကြီးမားသော စိန်ခေါ်မှုတစ်ရပ်ဖြစ်သည်။
၄။ လျှပ်သံလျှပ်ကြောင်း အဟန့်အတား (EMI) ဖုံးအုပ်မှု လိုအပ်ချက်များ
ကက်သီတာရီဇေးရှင်း စမ်းသပ်ခန်းများတွင် ဖလူရိုစကော့ပီစနစ်များ၊ လူနာစောင်းကြည့်စက်များနှင့် လျှပ်စစ်သွေးစီးကြောင်း အသုံးပြုသည့် စက်များ အစရှိသည့် EMI အရင်းအမြစ်များ အများအပြားပါဝင်ပါသည်။ IVUS-OCT နှင့် IVUS-FFR ကဲ့သို့သော များပါးသော ကက်သီတာများတွင် အမြန်နှုန်းမြင့် ဒစ်ဂျစ်တယ် လမ်းကြောင်းများနှင့် အထိအတွေ့များသော အနာလော့ဂ် စိတ်ကူးများကြား ဖလှယ်မှုကို ဖိနှိပ်ရန် ထိရောက်သော ဖုံးအုပ်မှုသည်လည်း အရေးကြီးပါသည်။
၅။ ယေဘုယျ ပုံသဏ္ဍာန် ပျော့ပေါ့မှုနှင့် ပုံသဏ္ဍာန် ပျော့ပေါ့မှု စိတ်ခေါ်မှုများ
ကြိုးစီမံခန့်ခွဲမှုသည် အကြိမ်ပေါင်းများစွာ ကွေးခြင်း၊ လှည့်နောက်အားပေးခြင်းနှင့် ဖိသို့သို့ ဆွဲသို့သို့ အားများကို ခံနိုင်ရည်ရှိရပါမည်။ ထို့အပါအဝင် ဒိုင်အီလက်ထရစ် ပုံသဏ္ဍာန်ပြောင်းလဲမှု၊ ဖုံးအုပ်မှု ပျက်စီးမှုနှင့် ကြိုးအများအပြား ပျော့ပေါ့မှု ဖြစ်ပွားမှုကို ကာကွယ်ရပါမည်။
• အလွန်သေးငယ်သော ကြိုးအလေးချိန် (၀.၁၅–၀.၂၅ မီလီမီတာ၊ AWG50–AWG44) သည် သေးငယ်သော ကက်သီတာ အများအပြားကို အတွင်းပိုင်းတွင် အသုံးပြုနိုင်ရန် အထောက်အကူပေးပါသည်။
• မှန်ကန်သော အမြင့်မှန်ကန်သော ကြိမ်နှုန်း စွမ်းဆောင်ရည် – ငွေဖော်ပြသော ကြေးနီအသေးစိတ် ကြိုးများနှင့် အနည်းငယ်သော ဒိုင်အီလက်ထရစ် PFA အထုပ်များကို ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် ၁.၅–၂.၀ မီတာ အရှည်ရှိသော ကြိုးများတွင် ထည့်သွင်းမှု ဆုံးရှုံးမှုနှင့် အချိန်ကွေးမှုကို အနည်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ပါသည်။
• အထူးသဖြင့် ထိန်းချုပ်ထားသော စရိုက်လက္ခဏာ အတိုင်းအတာများ၏ အခုခံမှု - စမီးထရစ် ကော်ကေးရှယ် ဂျီဩမေတြီပုံစံဖြင့် ၅၀ MHz တွင် အတိုင်းအတာများကို ±၂ Ω မှ ±၃ Ω အတွင်း ထိန်းသိမ်းပေးပြီး အချက်အလက် အလွှာများကို အနည်းဆုံးဖြစ်အောင် လျှော့ချပေးသည်။
• အများစု အီအမ်အိုင် ကာကွယ်မှု - အမြှေးသိပ်မှုမြင့်မားသော ပုံစံဖွဲ့စည်းမှုများ (braided) သို့မဟုတ် ဝန်ဆောင်မှုပေးသော ကာကွယ်မှုများဖြင့် ကာကွယ်မှု အဖ пок်မှု ၉၉.၉% အထိ ရရှိပြီး ဒိုင်နမစ် အကွာအဝေးနှင့် ပုံရိပ် တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။
• အထူးကောင်းမွန်သော ယန္တရားဆိုင်ရာ အကောင်းဆုံး လှုပ်ရှားမှု လွယ်ကူမှု - အားကောင်းသော အသေးစား အသေးစား အလော္ယ် ပိုမ်းမှုများနှင့် လွယ်ကူသော လှုပ်ရှားမှုကို ဖော်ပေးသော ဖလူရိုပေါ်လီမာ အဖုံးများဖြင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော ပုံပိုင်းဆိုင်ရာ ခံနိုင်ရည်နှင့် ကက်သီတာအတွင်း ချောမွေ့သော လှုပ်ရှားမှုကို ဖော်ပေးသည်။
• AWG50 မှ AWG40 အထိ ပိုမ်းမှုများအတွက် ရွေးချယ်စရာများ၊ အမြဲတမ်း ပိုမ်းမှုများ (solid) သို့မဟုတ် ကြေးနီကြေးနီ ပိုမ်းမှုများ (stranded) ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။
• လှည့်ပေးသော IVUS စနစ်များအတွက် အသေးစား ကော်ကေးရှယ် ကြိုးများ တစ်ကောင်သာ။
• ၁၆-၊ ၃၂- သို့မဟုတ် ၆၄-ခုနှင့် ဖွဲ့စည်းထားသော ဖေးစ်အာရေး IVUS ကက်သီတာများအတွက် အသေးစား ကော်ကေးရှယ် ကြိုးများ အစုလိုက်။
• အိုင်မီတာသေးငယ်သော ဖြတ်တောက်မှုအတွက် ပိုမိုတိကျသော အသေးစား အဆုံးသတ်ခြင်းနည်းလမ်းများဖြစ်သည့် အိုင်မီတာသေးငယ်သော ပေါင်းစပ်မှု၊ လျှပ်စီးဖောက်သွင်းနိုင်သော ကပ်စ်ကြေးမှုနှင့် အလိုအလျောက် လေဆာဖြင့် အထုပ်ဖွင့်ခြင်းတို့ကို အသုံးပြုခြင်း။ ဤနည်းလမ်းများသည် FPCs၊ transducer PCBs နှင့် အနက်ရှိုင်းမှု ၀.၂၀ မီလီမီတာအထိ ရှိသော အသေးစား စက်ဝိုင်းပုံသော ချိတ်ဆက်မှုများကို အထောက်အပံ့ပေးပါသည်။
OEM IVUS ပရောဂျက်တစ်ခုအတွက် ကြိုး ရွေးချယ်မှုသည် ထို ကက်သီတာ၏ ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ဓာတ်မှန် လိုအပ်ချက်များ ၊ ပြီးလျှင် ကြိုး အရွယ်အစားများနှင့် တည်ဆောက်ပုံသို့ ပြန်သွားရမည်
လက်တွေ့ကျသည့် ရွေးချယ်မှု အစီအစဥ်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်ပါသည်
ကက်သီတာ အပြင်အဆင် → ကြိမ်နှုန်း → အချက်ပြ လိုအပ်ချက်များ → ချန်နယ် အရေအတွက် → ကြိုး၏ အပြင်အချင်း → အခုခံမှု / ကပ်ပါစီတန့်စ် → ကာကွယ်မှု → ပျော့ပျောင်းမှု → အဆုံးသတ်ခြင်း → အတည်ပြုခြင်း
ရရှိနိုင်သော အသေးငယ်ဆုံး ကြိုးသည် အလိုအလျောက် မှန်ကန်သော ကြိုး မဟုတ်ပါ
ဒီဇိုင်းသည် ထို လျှပ်စစ်၊ ယန္တရား နှင့် ပေါင်းစပ်ခြင်း လိုအပ်ချက်များကို တစ်ပြိုင်နက် .
ပထမဆုံး ဒီဇိုင်း ကန့်သတ်ချက်များသည် အများအားဖြင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ နေရာအရွယ်အစားဖြစ်သည်။
လက်ရှိ HOTTEN ဆောင်းပါးတွင် IVUS ကက်သီတာများ၏ အပြင်ဘက် အချင်းများကို ၂.၅ Fr မှ ၃.၅ Fr အထိ ဖော်ပြထားပြီး၊ ဂိုင်းဝိုင်ယာ လူမင်းများ၊ မောင်းနေသော ရှပ်များ၊ ရေစုပ်ချောင်းများနှင့် အခြားသော အတွင်းပိုင်း ဖွဲ့စည်းမှုများအတွက်လည်း နေရာလိုအပ်သည်။
OEM အင်ဂျင်နီယာများအတွက် သက်ဆိုင်ရာ မေးခွန်းမှာ ထို့ကြောင့် ဖြစ်သည်။
ကြိုးဖွဲ့စည်းမှုအတွက် အမှန်တကယ် သတ်မှတ်နိုင်သော နေရာအရွယ်အစားမှာ မည်မျှရှိသနည်း။
အကယ်၍ → ကြိုးလမ်းကြောင်းအတွက် မီလီမီတာတစ်ခု၏ အပိုင်းသေးငယ်သော အပိုင်းသာ ရနှိမ့်နိုင်သည်။
ထိုအခါ → ကြိုးနှင့် ကာကွယ်မှုဖွဲ့စည်းမှုများကို ရွေးချယ်ရန်မှီ၍ အများဆုံး ကြိုးအချင်းကို သတ်မှတ်ပါ။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ကြိုးအချင်းသည် စနစ်အဆင့် ယန္တရားဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်ဖြစ်လာသည်။
အကယ်၍ → ချန်နယ်အရေအတွက်သည် ကက်သီတာအတွင်း အလုပ်လုပ်မည့် နေရာတူသည့် အတွင်းပိုင်းတွင် တိုးမြင့်လာသည်။
ထိုအခါ → မိုက်ခရိုကော့စ်ရှယ်ယ် အမြင့်သိပ်သည့် သို့မဟုတ် ကော့စ်ရှယ်ယ် အစုလိုက် ဖွဲ့စည်းပုံများကို စိစိမ်စွာ စိစ်စွဧ်စမ်းသည်။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ကြေးနောင်ဖွဲ့စည်းပုံသည် လိုအပ်သော စိတ်ကူးစိတ်သန်းအရေအတွက်ကို ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအားဖြင့် ကောင်းစွာထည့်သွင်းနိုင်မည် ဖြစ်သည်ကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည်။
လျှပ်ကူးစိတ်ကူးစိတ်သန်းအရေအတွက်ကို လျှပ်စစ်လိုအပ်ချက်များနှင့် ကောင်းစွာကိုက်ညီမည့် အတိုင်းအတာဖြင့် ရွေးချယ်သင့်သည်။
လက်ရှိ HOTTEN IVUS ဆောင်းပါးတွင် အလုပ်လုပ်မည့် မှုန်းနှုန်းများကို အောက်ပါအတိုင်း ဆွေးနွေးထားသည်။ ၂၀–၆၀ MHz ထို့အပြင် မှုန်းနှုန်းများ ပိုမိုမြင့်မှုသည် လျှပ်ကူးစိတ်ကူးစိတ်သန်း၊ ဒိုင်အီလက်ထရစ်နှင့် EMI အကြောင်းအရာများကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်ကြောင်း ဖော်ပြထားသည်။
သက်ဆိုင်ရာ အချက်များတွင် အောက်ပါတို့ ပါဝင်နိုင်သည်။
| ပါရာမီတာ | အင်ဂျင်နီယာ မေးခွန်း |
|---|---|
| အကြိမ်နှုန်း | ဘယ်လောက်အထိ မှုန်းနှုန်းအပိုင်းကို ပို့လွှတ်ရမည်နည်း။ |
| အချက်ပြမှုအမျိုးအစား | RF / ပုံရိပ်ဖော် / အနာလော့ / အခြား? |
| အတားအဆီး | 50Ω / 75Ω / အခြား? |
| လျှော့ချမှု | လက်ခံနိုင်သော အချက်ပြ ဆုံးရှုံးမှု မည်သည့်အမျိုးအစား ဖြစ်ပါသနည်း။ |
| ကပ်ပီတန် | ကြိုး၏ ကပ်ပါစီတန့် ကန့်သတ်ချက်ရှိပါသလား? |
| ကြိုးအလျား | အချက်ပြလမ်းကြောင်း၏ ပြည့်စုံသော အလျားမည်မျှရှိပါသလဲ? |
| Channel Count | လိုအပ်သော အချက်ပြလမ်းကြောင်း ဘယ်နှစ်ခုရှိပါသလဲ? |
အကယ်၍ → အသုံးချမှုသည် အလွန်သေးငယ်သော ကြိုး အရွယ်အစားများ လိုအပ်ပါသည်။
ထိုအခါ → ကွေးသံလိုက်အရွယ်အစားကို အားလျော့မှု၊ ခုခံမှု၊ ကွေးညွှတ်နိုင်မှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှုလိုအပ်ချက်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါ။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → သေးငယ်သော ကွေးသံလိုက်သည် ထုပ်ပိုးမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေနိုင်သော်လည်း လျှပ်စစ်နှင့် ထုတ်လုပ်မှုဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များကို ထပ်မံဖန်တီးနိုင်ပါသည်။
လက်ရှိ HOTTEN ဖြေရှင်းနည်း အမျိုးအစား စာရင်းများ AWG50–AWG40 ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ မိုက်ခရိုကော့စီရယ် ဖလှယ်နိုင်သော ဖွဲ့စည်းပုံများအတွက် ကြေးနောက်ခံအများအပြား
IVUS စနစ်များအတွက် အင်ဂျင်နီယာလုပ်ငန်း၏ ရည်မှန်းချက်သည် ကြိုးအဝေးပေါ် အနိမ့်ဆုံးအရွယ်အစားသာ မဟုတ်ပါ။
သက်ဆိုင်ရာ အနေနဲ့ အောက်ပါအတိုင်း အကောင်းဆုံးအချိန်ညှိမှုကို ရှာဖွေရပါမည်။
အဝေးပေါ် သေးငယ်ခြင်း
vs.
လျှပ်စစ် အလုပ်ဆောင်မှု
vs.
မူးရောင်းစီးပွားမှု
vs.
ထုတ်လုပ်နိုင်မှု
အကယ်၍ → ကက်သီတာအတွင်းသို့ ကြေးနောက်ခံကို ထည့်သွင်းရန် သေးငယ်သော ကြေးနောက်ခံတစ်ခု လိုအပ်ပါသည်။
ထိုအခါ → အသုံးပြုမှုအတွက် အားနည်းခြင်း၊ ခုခံမှု၊ ပေါ့ပါးခြင်းနှင့် အဆုံးသတ်မှု လုပ်နိုင်မှုတို့ပေါ် သက်ရောက်မှုကို စိစိမ်စွာ စိစ်ပါသည်။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ကြေးနောက်ခံသည် ကြိုးဖွဲ့စည်းပုံအားလုံး၏ အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုသာ ဖြစ်ပါသည်။
အကယ်၍ → အသေးငယ်ဆုံး ကေဘယ်လ်တည်ဆောက်ပုံကို တသမတ်တည်း ဖြတ်တောက်ရန် ခက်ခဲသည်
ထိုအခါ → အနည်းငယ်ကွဲပြားသော လျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ လျှပ်ကာ သို့မဟုတ် ရပ်စဲခြင်းဖွဲ့စည်းပုံကို အကဲဖြတ်ပါ
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်သော်လည်း အထပ်ထပ်တပ်ဆင်၍မရသော ကြိုးသည် ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် သင့်လျော်မည်မဟုတ်ပါ။
အလွန်သေးငယ်သော ကေဘယ်လ် ပေးသွင်းသူများကို အကဲဖြတ်သည့် OEM များအတွက် ၎င်းသည် အရေးကြီးသော ခြားနားချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။
IVUS အတွက်၊ impedance လိုအပ်ချက်သည် cable တွင်သာ ရပ်တန့်မနေပါ။
အချက်ပြလမ်းကြောင်းက အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်နိုင်ပါတယ်-
Tranducer
→Micro Coaxial Cable
→မိုက်ခရို-အဆုံးသတ်ခြင်း
→FPC / PCB
→ကြိုးချိတ်ဆက်မှုအစိတ်အပိုင်း / အင်တာဖေး
→ပုံရိပ်ဖမ်းယူမှု လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ
အကယ်၍ → ကုန်ကြမ်း micro coaxial cable သည် target impedance နှင့် ကိုက်ညီသည်
ထိုအခါ → တရန်စဒူဆာနှင့် အီလက်ထရောနစ်ပစ္စည်းသို့ အပြီးသတ် ပြောင်းလဲမှုကို စစ်ဆေးပါ
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ကြိုးအဆုံးများတွင် ဒေသဆိုင်ရာ ချို့ယွင်းမှုများ ဖြစ်ပေါ်နိုင်သည်။
လက်ရှိ HOTTEN ဆောင်းပါးသည် ဖော်ပြသည်။ ၅၀Ω သို့မဟုတ် ၇၅Ω iVUS အချက်ပြ လမ်းကြောင်းများတွင် ပုံမှန် အခုခံမှု လိုအပ်ချက်များအဖြစ် ဖော်ပြပြီး အခုခံမှု ချို့ယွင်းမှုကို ပြန်တိုးမှုများနှင့် ဖြစ်နိုင်ခြေရှိ ပုံရိပ် အမှားယွင်းများနှင့် ဆက်စပ်ထားသည်။
အခုခံမှုထိန်းချုပ်မှု အင်ဂျင်နီယာပညာ အတွက် ထပ်မံ၍:
ကြိမ်နှန်းမြင့်ကြိုးစည်းများတွင် ကြိုးအခြေအနေမှုနှင့် ၎င်း၏အရေးပါမှုများကားအဘယ်နည်း။
အလွန်ပါးလွှာသော ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ ကိုအက်ရှယ်ယယ် ကြိုးအတွက် အခုခံမှုနှင့် ကာပက်စီတန့်ကို သီးခြား အသေးစိတ်ဖော်ပြချက်များအဖြစ် မှတ်ယူရန် မလိုအပ်ပါ။
ကြိုး၏ ကာပက်စီတန့်သည် မူတည်နိုင်သည်:
အကယ်၍ → iVUS တရန်စဒူဆာ သို့မဟုတ် လက်ခံ အီလက်ထရောနစ်ပစ္စည်းများသည် ကြိုး၏ ကာပက်စီတန့်ကို အထူး အာရုံခံတတ်သည်။
ထိုအခါ → အစပိုင်းကြိုး၏ အသေးစိတ်ဖော်ပြချက်တွင် ကပ်စ်တန့်ကို ထည့်သွင်းပါ
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ကွန်ဒပ်တာ သို့မဟုတ် ဒိုင်အလက်ထရစ် ဂျီဩမေတြီကို ပြောင်းလဲခြင်းသည် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများစွာကို တစ်ပြိုင်နက် သက်ရောက်မှုရှိစေနိုင်သည်။
အကယ်၍ → ဒီဇိုင်းသည် ကိုက်ညီသော ချန်နယ်များစွာကို လိုအပ်သည်
ထိုအခါ → ချန်နယ်မှ ချန်နယ်သို့ ကပ်စ်တန့် တသမတ်တည်းဖြစ်မှုကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားပါ
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ချန်နယ်များကြား ကွာခြားချက်များသည် အချက်ပြအပြုအမူတွင် ကွဲပြားမှုကို ဖန်တီးနိုင်သည်။
ဤအရာသည် ပို၍ကျယ်ပြန့်သော HOTTEN Micro-Coax အင်ဂျင်နီယာဆောင်းပါးသို့ တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်ထားသည်:
IVUS စနစ်များသည် တစ်ခုချင်းစီ သို့မဟုတ် ချန်နယ်အများအပြား micro coaxial ဖွဲ့စည်းပုံများကို အသုံးပြုနိုင်သည်။
လက်ရှိ HOTTEN ဆောင်းပါးသည် ဖော်ပြထားသည်:
OEM ဒီဇိုင်းအတွက် -
အကယ်၍ → အနာလော့ဂ် ချန်နယ်များကို အထူးသဖြင့် နှိပ်ကွပ်ထားသည်။
ထိုအခါ → ချန်နယ်တစ်ခုချင်းစီအတွက် ကာကွယ်ရေးနှင့် စုစုပေါင်း ကာကွယ်ရေးကို စိစိပ်လေးနက်စွာ စိစ်ပါ။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ချန်နယ်များအကြား ဆက်သွယ်မှုနှင့် အပြင်ပေါ်မှ EMI သည် အခြားနေရာများမှ အနှောင့်အယှက်ဖေးမှုများဖြစ်သည်။
အကယ်၍ → ကြိုး၏ အပြင်ဘက်အရွယ်အစား (OD) ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားခြင်းမရှိဘဲ ကာကွယ်ရေးကို တိုးမှုန်းထားသည်။
ထိုအခါ → အဆုံးသတ်ဖွဲ့စည်းပုံသည် ကက်သီတာ အိုင်ဒီအိုင် (catheter envelope) အတွင်းသို့ ဆက်လက်ထည့်သွင်းနိုင်မုန်းသည်ကို စမ်းသပ်စစ်ဆေးပါ။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ကာကွယ်ရေးသည် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ နေရာကို သုံးစွဲပြီး ကြိုး၏ ပုံစံပြောင်းလဲနိုင်မှုကို သက်ရောက်စေနိုင်သည်။
ဤသည်အောက်ပါနေရာသို့ တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်မှုကိုဖန်တီးပေးပါသည်။
ပုံမှန် coaxial ကြိုးနှင့် IVUS micro coaxial assembly အကြား အရေးကြီးသော ကွဲပြားမှုများထဲတွင် အဆုံးသတ်ခြင်း၏ အရွယ်အစားသည် အရေးကြီးပါသည်။
လက်ရှိ HOTTEN ဆောင်းပါးတွင် micro-termination ကို အောက်ပါနည်းလမ်းများဖြင့် ဖော်ပြထားပါသည်။
OEM အင်ဂျင်နီယာများအတွက် -
အကယ်၍ → ကြိုးသည် အလွန်ပေါ့ပါးသော ကွန်ဒက်တာကို အသုံးပြုသည်
ထိုအခါ → ကွန်နက်တာ သို့မဟုတ် PCB အင်တာဖေးစ်နှင့်အတူ အဆုံးသတ်နည်းလမ်းကို သတ်မှတ်ပါ
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ကြိုးသည် နည်းပညာအရ သင့်လျော်သည်ဖြစ်စေကာမျှ၊ အဆုံးသတ်ခြင်း ဖြစ်နိုင်မှုသည် ကန့်သတ်မှု အချက်ဖြစ်လာနိုင်သည်။
အကယ်၍ → ကွန်နက်တာ ပစ်ခ်သည် အလွန်သေးငယ်သည်
ထိုအခါ → ထောက်ပံ့သူ အရည်အသွေးစစ်ဆေးမှုအစိတ်အပိုင်းအဖြစ် ကွန်ဒက်တာ ပြင်ဆင်မှု၊ နေရာချမှု၊ ဆော်ဒ်ဒါ/ဝယ်လ်ဒင်/ဘွန်ဒင်နှင့် စစ်ဆေးမှု စွမ်းရည်များကို အကဲဖြတ်ပါ
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → အစုစည်းမှု တိကျမှုသည် အရေးကြီးသော ထုတ်လုပ်မှု အပြောင်းအလဲဖြစ်လာသည်။
IVUS ကြိုးသည် အောက်ပါအတိုင်း ထိတွေ့မှုများကို ဖော်ပေးနိုင်ပါသည်။
အကယ်၍ → ကြိုးသည် မပေါ်မပေါ် မက်ကင်းနီကယ် ရှုပ်ထွေးမှုများကို ထိတွေ့နေရသည်။
ထိုအခါ → ကြိုးအတွင်း ပေါင်းစပ်မှုများကို အတူတက် ရွေးချယ်ပါ။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုကို ပြောင်းလဲခြင်းဖြင့် လွယ်ကူမှုနှင့် လျှပ်စစ်အမှန်တကယ်ဖြစ်မှု နှစ်များကို ထိခိုက်စေနိုင်ပါသည်။
အကယ်၍ → လုပ်ဆောင်မှုအတွင်း ကြိုးသည် မက်ကင်းနီကယ် ပုံပေါ်မှုများကို ဖော်ပေးနိုင်ပါသည်။
ထိုအခါ → မက်ကင်းနီကယ် စမ်းသပ်မှုများ ပြုလုပ်မှုများ မှီခို၍ လျှပ်စစ်အမှန်တကယ်ဖြစ်မှုကို စမ်းသပ်ပါ။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ယန္တရားဆိုင်ရာ အသက်ရှင်မှုသည် စိတ်ခေါ်မှုအား ထိရောက်စွာ ပေးနိုင်ခြင်းကို အထောက်အထားမပေးပါ။
ဤသည်သည် အောက်ပါနှင့် တိုက်ရိုက်ဆက်စပ်နေပါသည်။
IVUS စနစ်အားလုံးသည် ကေဘယ်လ်ဖွဲ့စည်းပုံတူညီသော လိုအပ်ချက်မရှိပါ။
အကယ်၍ → စနစ်သည် လှည့်ပတ်သော ပုံရေးသော အားက်ကီတက်ခ်ခ်ရှားကို အသုံးပြုသည်။
ထိုအခါ → စုပ်ယူမှုနည်းနည်းသော တစ်လုံးတည်း သို့မဟုတ် ကန့်သတ်ထားသော ချန်နယ်များပါဝင်သော မိုက်ခရို ကော်အက်စီရှယ် ဖွဲ့စည်းပုံကို လှည့်ပတ်မှုလိုအပ်ချက်များနှင့်အတူ စိစိမ်စွာ စိစ်ထုတ်ပါ။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ယန္တရားဆိုင်ရာ ရှုပ်ထွေးမှုများသည် ကေဘယ်လ်ဒီဇိုင်း၏ အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်လာနိုင်ပါသည်။
လက်ရှိ HOTTEN ဆောင်းပါးသည် လှည့်ပတ်သော IVUS စနစ်များအတွက် တစ်လုံးတည်းသော မိုက်ခရို ကော်အက်စီရှယ် ကေဘယ်လ်ဖွဲ့စည်းပုံများကို အထူးဖော်ပြထားပါသည်။
အကယ်၍ → စနစ်သည် များပြားသော ခုန်ကြောင်းများပါဝင်သည့် ဖေ့စ်အာရေး အာရှယ်ခ်တ်ကို အသုံးပြုသည်။
ထိုအခါ → ခုန်ကြောင်းအရေအတွက်၊ ခုန်ကြောင်းများကြား တူညီမှု၊ တစ်ခုချင်းစီသော ကာကွယ်မှု၊ ကြိုး၏ အပြင်ဘက်အလေးချိန်နှင့် ခုန်ကြောင်းဆုံးသော နေရာများ၏ သိပ်သည်းဆ တို့ကို တစ်ပါတည်း စိစိမ်စွာ စိစ်ထုတ်သင့်သည်။
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ခုန်ကြောင်းအရေအတွက် တိုးလာသည်နှင့်အမျှ လျှပ်စစ်နှင့် ယန္တရားဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ တိုးပါသည်။
ဟော့တန်သည် လက်ရှိတွင် ဖော်ပြထားသည်။ ၁၆-၊ ၃၂-နှင့် ၆၄-ခုန်ကြောင်း iVUS အင်ဂျင်နီယာ နမူနာများတွင် များပြားသော ကော်အက်စီယယ် အုပ်စုများ။
လက်ရှိ ဟော့တန် ဆောင်းပါးတွင် ဖော်ပြထားသည်များမှာ—
TDR
→VNA ထည့်သွင်းမှု ဆုံးရှုံးမှု / ပုံစဥ်အကျယ်
→မြင့်မားသော ဗို့အား / ကာကွယ်မှု ခုခံမှု
→ယန္တရားဆိုင်ရာ အကွေးအနှိမ့်စမ်းသပ်မှု
၎င်း၏ အဓိက အတည်ပြုခြင်းနည်းလမ်းများအဖြစ်။
OEM အတည်ပြုခြင်းအတွက် ဤအရာကို အောက်ပါတို့အထိ ချဲ့ထွင်နိုင်ပါသည်။
ပထမဦးဆုံး လျှပ်စစ်အခြေခံစံသတ်မှတ်ချက်
→စက်ပစ္စည်းဆိုင်ရာ အတည်ပြုခြင်း
→စမ်းသပ်မှုပြီးနောက် လျှပ်စစ်အတည်ပြုခြင်း
→အရွယ်အစား / မြင်သာသော စမ်းသပ်မှု
→ပျက်ကွက်မှု ဆန်းစစ်ချက်
အကယ်၍ → ကြိုးသည် ပထမဦးဆုံး RF စမ်းသပ်မှုကို အောင်မြင်သည်
ထိုအခါ → အသုံးပြုမှုနှင့် ကိုက်ညီသော ယန္တရားဆိုင်ရာ အတည်ပြုခြင်းကို ဆောင်ရွက်ရန်
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ပထမဦးဆုံး လျှပ်စစ်အတည်ပြုခြင်းသည် ယန္တရားဆိုင်ရာ ဖိအားပေးမှုအပြီးတွင် တည်ငြိမ်မှုရှိကြောင်း သက်သေပြခြင်းမဟုတ်ပါ။
အကယ်၍ → အကွေးအနှိမ့်စမ်းသပ်မှုပြီးနောက် လျှပ်စစ်အချက်အလက်များ ပြောင်းလဲသည်
ထိုအခါ → ကြေးနီကြိုးအသုံးပြုမှု ပိုမိုကြာရှည်လာခြင်း၊ ကာကွယ်ရေးအစိတ်အပိုင်းများ ပုံပေါ်မှုပြောင်းလဲခြင်း၊ ဒိုင်အီလက်ထရစ်ပစ္စည်းများ ရွေ့လျားခြင်းနှင့် အဆုံးသတ်အစိတ်အပိုင်းများ ဖိအားခံရခြင်းတို့ကို စုံစမ်းစစ်ဆေးရန်
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → ပုံစံထုပ်ပေးမှုအစိတ်အပိုင်းများ လျှပ်စစ်ဖွင့်ထားသော စက်ဝိုင်းအပြည့်အစုံ ဖန်တီးမှုမရှိသေးသည့်အတွင်းတွင်ပင် အရည်အသွေး ကျဆင်းမှုများ စတင်နိုင်ပါသည်။
အသုံးဝင်သော အိုင်ဗီယူအက်စ် ကြိုး RFQ တွင် အောက်ပါအရာများကို သတ်မှတ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ကက်သီတာ ပေါင်းစပ်မှု လိုအပ်ချက်များနှင့် လျှပ်စစ်အကောင်အထောက်အကူပုံစံ .
| အမျိုးအစား | အကြံပေးထားသော အချက်အလက်များ |
|---|---|
| အသုံးပြုမှု | အိုင်ဗီယူအက်စ် / လှည့်ပတ်သော / ဖေ့စ်အာရေး / အခြား |
| ကက်သီတာ အပြင်ဘက်အချင်း | အသုံးပြုနိုင်သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ နေရာ |
| ကြိုးအတွက် သတ်မှတ်ထားသော နေရာ | အများဆုံး လမ်းကြောင်းသတ်မှတ်နိုင်သော နေရာ |
| အကြိမ်နှုန်း | လုပ်ဆောင်နိုင်သော လှုပ်ရှားမှု အကျိုးအတွင်း |
| အတားအဆီး | အမည်အများအားဖြင့် ဖော်ပြသည့် တန်ဖိုး |
| ကပ်ပီတန် | ပန်းတိုင် / အများဆုံး |
| လျှော့ချမှု | အများဆုံးလက်ခံနိုင်သောဆုံးရှုံးမှု |
| Channel Count | အချက်အလက်လမ်းကြောင်းအရေအတွက် |
| မောင်းသူ | AWG / ပစ္စည်း / တည်ဆောက်ပုံ |
| ဒီယေလက်ထစ် | ပစ္စည်း / ဖွဲ့စည်းပုံ |
| ကေဘီလ် OD | ခွင့်ပြုနိုင်သော အများဆုံး အချင်း |
| အင်မြစ်ကန်များမှ ထိခိုက်မှု ကန့်သတ်ခြင်း | တစ်ခုချင်းစီ / စုစုပေါင်း / အခြား |
| ကြိုးအလျား | ပုံသေတန်ဖိုး + အမှားအမှင် |
| လွယ်ကူမှု | စောင်းခြင်း / လှုပ်ရှားခြင်း |
| ပုံမှန် ထုတ်ကုန် | လိုအပ်ပါက လှည့်စေရန် |
| ချိတ်ဆက်မှု | အစိတ်အပိုင်းနံပါတ် / အင်တာဖေး |
| ပြီးပြီးဆုံးမှု | ချော်ချော်ကြော်ချော် / ကပ်ချော်ချော် / ဆော်ဒ်ဒါ / အခြား |
| ကော်နက်တာ ပစ်ခ် | အင်တာဖေး အရွယ်အစား လိုအပ်ချက် |
| ပတ်ဝန်းကျင် | အပူခါးအေးခါး သို့မဟုတ် စိုထုံးအခြေအနေ အခြားသော အခြေအနေများ |
| စမ်းသပ်ခြင်း | TDR / VNA / အထုံးအထား / မက်ကန်းနစ် |
| Production | ပရိုတိုကော်စ် / အရည်အသွေးစမ်းသပ်မှု / ထုတ်လုပ်မှုအများအပြား |
အကယ်၍ → rFQ တွင် “အလွန်ပေါ့ပါ့ IVUS ကြိုး” ဟုသာ ဖော်ပြထားသည်
ထိုအခါ → ကက်သီတာ အဝိုင်း၊ ချန်နယ်အရေအတွက်၊ အော်က်စီလေးရှင်း၊ အိမ်ပေါ်ဒ်မ်းစ်၊ ကြိုး၏ အပြင်ဘက်အရွယ်အစား၊ အဆုံးသတ်နှင့် မက်ကန်းနစ် လိုအပ်ချက်များကို ထည့်သွင်းပေးပါ
ဘာကြောင့်ဆိုသော် → “အလွန်ပေါ့ပါ့” ဆိုသည်မှာ အရွယ်အစားကို ဖော်ပြခြင်းသာဖြစ်ပြီး လျှပ်စစ် သို့မဟုတ် စုစည်းမှု လိုအပ်ချက်များကို သတ်မှတ်ခြင်းမဟုတ်ပါ
လက်တွေ့ကျသော OEM ဒီဇိုင်းအစဉ်မှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်:
IVUS ဗိသုကာ
→ကက်သီတာ အကွက်
→Signal Frequency
→Channel Count
→အားခံ / ကပ်စ်စတန့်
→လိုအပ်သော ဆုံးရှုံးမှု
→Conductor Size
→ဒိုင်းလက်ထရစ် ဖွဲ့စည်းပုံ
→ကေဘီလ် OD
→အင်မြစ်ကန်များမှ ထိခိုက်မှု ကန့်သတ်ခြင်း
→ပျော့ပျောင်းမှု / လှည့်အား
→ပြီးပြီးဆုံးမှု
→လျှပ်စစ်စမ်းသပ်မှု
→စက်ပစ္စည်းဆိုင်ရာ အတည်ပြုခြင်း
→ထုတ်လုပ်မှု အတည်ပြုခြင်း
လှည့်ပတ် ပုံရိပ်ဖော်ခြင်း
→ ရရှိနိုင်သော ကြိုးနေရာ သတ်မှတ်ရန်
→ အချက်ပြ ကြိမ်နှုန်း သတ်မှတ်ရန်
→ အခုခံမှု သတ်မှတ်ရန်
→ ကြေးနီခွဲမှုအတိုင်းအတာကို ဆုံးဖြတ်ရန်
→ အလွန်ပေါ့ပါးသော ကြေးနီခွဲမှုကို ရွေးချယ်ရန်
→ ဒိုင်အီလက်ထရစ်ဖွဲ့စည်းပုံကို သတ်မှတ်ရန်
→ ကာကွယ်မှု ရွေးချယ်ရန်
→ လှည့်ပတ်မှုနှင့် သက်ဆိုင်သော ယန္တရားဆိုင်ရာ ဖိအားကို အကဲဖြတ်ရန်
→ အဆုံးသတ်မှုကို သတ်မှတ်ရန်
→ RF အတည်ပြုမှုကို ပြုလုပ်ရန်
→ ယန္တရားဆိုင်ရာ စမ်းသပ်မှုကို ပြုလုပ်ရန်
→ ထုတ်လုပ်မှု တည်ငြိမ်မှုကို အတည်ပြုရန်။
မှုခ်လ်တီ-ချန်နယ် အာရေး
→ ချန်နယ် အရေအတွက် သတ်မှတ်ရန်
→ ကက်သီတာအောက်တွင် အသုံးပျော်နေသော နေရာအား ဆုံးဖြတ်ခြင်း
→ အိုမ်းစ်နှင့် ကပ်စီတန်စ်လိုအပ်ချက်များကို သတ်မှတ်ခြင်း
→ ကေဘယ်လ်အများအားဖြင့် အသုံးပျော်သည့် အဆောက်အဦးကို ဆုံးဖြတ်ခြင်း
→ ကွန်ဒတ်တာအရွယ်အစားကို ရွေးချယ်ခြင်း
→ ချန်နယ်တစ်ခုချင်းစီအတွက် ကာကွယ်မှုကို သတ်မှတ်ခြင်း
→ ချန်နယ်များအကြား တည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းခြင်း
→ မြင့်မားသော သိပ်သည်းမှုရှိသော အဆုံးသတ်မှုကို သတ်မှတ်ခြင်း
→ လျှပ်စီးပေးပို့မှုဆိုင်ရာ စွမ်းဆောင်ရည်ကို စမ်းသပ်ခြင်း
→ ယန္တရားဆိုင်ရာ အတည်ပြုခြင်းကို ပြုလုပ်ခြင်း
→ ထုတ်လုပ်မှုကို အတည်ပြုခြင်း။
ကြိမ်နှန်းမြင့်ကြိုးစည်းများတွင် ကြိုးအခြေအနေမှုနှင့် ၎င်း၏အရေးပါမှုများကားအဘယ်နည်း။
မိုက်ခရို ကော်အက်စီယယ် ကြိုးများ၏ အထုပ်မှုနည်းလမ်းကို ရွေးချယ်ရန် အကောင်းဆုံးနည်းလမ်းများ
ပို့ဆောင်မှုမတိုင်မီ စိတ်ကြိုက် ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ ကြိုးများ မည်သို့ လုပ်ဆောင်ပြီး စစ်ဆေးသနည်း
အများအားဖြင့် အတည်ပြုခြင်းများတွင် အောက်ပါတို့ ပါဝင်ပါသည်။
• အချိန်နယ်ပိုင်နဲ့ ပြန်လည်ရှုမ်းခြင်း (TDR)
• ၁၀ MHz မှ ၁၀၀ MHz အထိ ဗက်တာ နက်ဝပ်ဝပ်ကြေးအားဖြင့် ထည့်သွင်းမှု ဆုံးရှုံးမှုနှင့် ပေါင်းစပ်မှု အကောင်အထောက်အပံ့ တိုင်းတာခြင်း
• အမြင့်ဆုံး ဗို့အားနှင့် အွန်ဆူးလေးမှု စမ်းသပ်ခြင်း
• ဇီဝကမ္မဖော်ပေးသော အကွေးခြင်းအခြေအနေများကို အတုအဖော်ပြုပြီး ယန္တရားဆိုင်ရာ အကွေးခြင်း သက်တမ်း စမ်းသပ်ခြင်း
အမြင့်အရည်အသွေး IVUS ပုံရောင်ခြင်းသည် အလွန်သေးငယ်သော ကက်သီတာဖွဲ့စည်းမှုများအတွင်းမှ အမြင့်မှုန်အောက် လျှပ်စစ်အချက်အလက်များကို ယုံကုံစိတ်ချရသော အပို့အဆောင်များဖြင့် အပို့အဆောင်ပေးခြင်းပေါ်တွင် မှီခိုပါသည်။ အသေးစား အရွယ်အစားများ၊ အလွန်တိကျသော အိုင်မီတာများ၊ အနည်းငယ်သော အပို့အဆောင်ဆုံးရှုံးမှုများ၊ အားကောင်းသော EMI ကာကွယ်မှုများနှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော ယန္တရားဆိုင်ရာ အကွေးခြင်း စွမ်းရည်များတွင် အသေးစား coaxial cable assemblies များသည် ခေတ်မှီ IVUS ကက်သီတာဒီဇိုင်းများတွင် အဓိက အပို့အဆောင်နည်းပညာဖြစ်လာပါသည်။
IVUS ပလက်ဖောင်းများသည် အမြင့်မှုန်းများ၊ ချန်နယ်အရေအတွက်များနှင့် များစွာသော ပုံရိပ်ဖမ်းယူမှုများသို့ ဆက်လက်တိုးတက်လာသည့်အတွက် အတွေ့အကြုံရှိသော ဆေးဘက်ဆိုင်ရာကြိုးစီမံမှုထုတ်လုပ်သူနှင့် ပူးပေါင်းဆောင်ပုပ်ခြင်းဖြင့် OEM များသည် စိတ်ကြောစီးမှုအရည်အသွေးနှင့် ယန္တရားဆိုင်ရာ ပေါင်းစပ်မှုစိန်ခေါ်မှုများကို преодолеть လုပ်နိုင်ပြီး နောက်မောင်းနောက်နောက်ထပ် နှလုံးသွေးကြောဆိုင်ရာကိရိယာများအား မြန်မြန်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်စေနိုင်သည်။
အရေးကြီးသော သတင်းများ2026-09-17
2026-09-04
2025-12-17
2025-12-11
2025-12-05